giovedì 23 febbraio 2012
Samsung, nuova RAM superveloce
Samsung ha annunciato di aver completato lo sviluppo di un nuovo tipo di memoria SDRAM a basso consumo destinata al mercato dei dispositivi mobile. Il chip di memoria LPDDR3 da 4 Gb, realizzato con processo produttivo a 30 nanometri, verrà integrato negli smartphone e nei tablet che arriveranno sul mercato nel corso dei prossimi mesi.
Tutti i prodotti attualmente in commercio utilizzano una memoria di tipo LPDDR2, che offre una velocità massima di trasmissione dati pari a 800 Mbps. Dato che il bus è ampio 32 bit, il transfer rate per l’intero chip è di 3,2 GB/s. Con la LPDDR3, Samsung è riuscita a raddoppiare questo valore, portandolo a 6,4 GB/s, senza aumentare la tensione di alimentazione (1,2 Volt). Nonostante ciò, i consumi del chip sono stati ridotti del 20%.
La dimensione del chip da 4 Gb è di 82 mmq. Unendo due chip da 4 Gb è possibile ottenere un singolo package da 1 GB con una velocità di trasmissione dati pari a 12,8 GB/s. La LPDDR3 è stata progettata per supportare veloci processori, ... CONTINUA
Iscriviti a:
Commenti sul post (Atom)
Nessun commento:
Posta un commento